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年度	2026年度	開講部局	工学部
講義コード	K6223020	科目区分	専門教育科目
授業科目名	半導体プロセス工学
授業科目名 （フリガナ）	ハンドウタイプロセスコウガク
英文授業科目名	Semiconductor Process Engineering
担当教員名	寺本　章伸
担当教員名 (フリガナ)	テラモト　アキノブ
開講キャンパス	東広島	開設期	3年次生   後期   ３ターム
曜日・時限・講義室	(3T) 月7-10：工115
授業の方法	講義	授業の方法 【詳細情報】	対面
			講義中心（演習を含む）
単位	2.0	週時間	4	使用言語	B : 日本語・英語
学習の段階	4 : 上級レベル
学問分野（分野）	25 : 理工学
学問分野（分科）	12 : 電子工学
対象学生	3年次生
授業のキーワード	p-n接合、MOSデバイス、集積化、製造プロセス
教職専門科目		教科専門科目
プログラムの中での この授業科目の位置づけ （学部生対象科目のみ）	電子システムプログラム （能力・技能） ・電子システム分野の基礎概念，知識および手法を具体的・専門的な問題に応用する能力
到達度評価 の評価項目 （学部生対象科目のみ）	電子システムプログラム （能力・技能） ・電子システム分野の基礎概念，知識および手法を具体的・専門的な問題に応用する能力
授業の目標・概要等	ＬＳＩの要素デバイスであるMOSトランジスタの動作原理と、その作製技術の基礎を習得する。詳細は以下の通り。 1. 集積回路作製の基礎となる、半導体・デバイス物理を修得する。 2.トランジスタの構造、動作原理を理解する。 3.トランジスタおよび集積回路作製の基本プロセスの原理を修得する。 4.集積回路作製装置、動作原理、技術的な問題を理解する。 5.将来のLSIの進む方向、限界について理解する。 なお，「知識・理解」，「能力・技能」の評価項目は，下記のとおりである。 電気・電子・システム・情報の各分野において必須とされる基礎的問題の定式化能力とその解決能力
授業計画	第1回　半導体の基礎の復習 第2回　半導体の基礎の復習 第3回　半導体の基礎の復習 第4回　p-n接合 第5回　p-n接合 第6回　MOS構造の特性 第7回　MOSダイオードの特性 第8回　MOSトランジスタ 第9回　MOSトランジスタ・これまでのレポート出題 第10回　集積回路作製プロセスの概要 第11回　リソグラフィー・エッチング 第12回　ウェット洗浄技術 第13回　Si酸化膜・薄膜形成 第14回　不純物拡散とイオン注入 第15回　LSIにおける微細化限界と将来 レポート10-40%（程度）、および期末試験または期末レポート60-90%（程度）。
教科書・参考書等	1. S.M. ジー著「半導体デバイス（第2版）」南日他訳、産業図書　2017年。 2. S.M. Sze, etc., "Physics of Semiconductor Devices (4th ed.)," Wiey,  2021. 3. 「タウア・ニン　最新VLSIの基礎（第3版）」丸善　2024年　宮本 恭幸、内田　建　監訳　竹内 潔・寺内 衛　訳 4.　Y. Taur and T.-H. Ning, "Fundamentals of Modern VLSI Technology (3rd Ed.)," Cambridge University Press, 2022. 5. U. Hilleringmann, "Silicon Semiconductor Technology," Springer, 2023.
授業で使用する メディア・機器等	配付資料
	【詳細情報】
授業で取り入れる 学習手法	小テスト／ クイズ形式
予習・復習への アドバイス	半導体プロセスでは初めて出てくる用語が多いと思います。レポート作成を通じて復習をしっかり行ってください。
履修上の注意 受講条件等	・原則としてすべての授業に出席すること。 ・授業科目「半導体デバイス」を履修しておくことが望ましい。
成績評価の基準等	中間レポート10-40%（程度）、および期末試験または期末レポート60-90%（程度）。
実務経験
実務経験の概要と それに基づく授業内容
メッセージ
その他
すべての授業科目において，授業改善アンケートを実施していますので，回答に協力してください。 回答に対しては教員からコメントを入力しており，今後の改善につなげていきます。