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年度	2025年度	開講部局	先進理工系科学研究科博士課程前期先進理工系科学専攻量子物質科学プログラム
講義コード	WSP05600	科目区分	専門的教育科目
授業科目名	VLSI工学第一
授業科目名 （フリガナ）	ブイエルエスアイコウガクダイイチ
英文授業科目名	VLSI Technology I
担当教員名	若林　整
担当教員名 (フリガナ)	ワカバヤシ　ヒトシ
開講キャンパス	双方向	開設期	1年次生   前期   １ターム
曜日・時限・講義室	(1T) 月1-2,木1-2
授業の方法	講義	授業の方法 【詳細情報】	オンライン（同時双方向型）, オンライン（オンデマンド型）
			講義中心
単位	2.0	週時間	4	使用言語	E : 英語
学習の段階	6 : 大学院専門的レベル
学問分野（分野）	25 : 理工学
学問分野（分科）	12 : 電子工学
対象学生	博士課程前期学生
授業のキーワード	大規模集積回路(VLSI)技術、CMOS集積回路、スケーリング技術、微細化技術、露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術等
教職専門科目		教科専門科目
プログラムの中での この授業科目の位置づけ （学部生対象科目のみ）
到達度評価 の評価項目 （学部生対象科目のみ）
授業の目標・概要等	現代社会を根底で支える大規模集積回路(VLSI)技術について理解しておくことはとても重要です。そこで具体的にはCMOS集積回路の構造，スケーリング技術、微細化技術(露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術等)、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術、などを総合的に理解することを進めます。
授業計画	第1回 CMOS集積回路とインバータ MOSFET, CMOS, インバータについて理解を進めます。 第2回 論理回路 論理回路について理解を進めます。 第3回 メモリデバイス技術(SRAM, DRAM) メモリデバイス技術(SRAM, DRAM)について理解を進めます。 第4回 メモリデバイス技術(Flash and others) メモリデバイス技術(Flash and others)について理解を進めます。 第5回 イメージセンサーデバイス技術 イメージセンサーデバイス技術について理解を進めます。 第6回 増幅回路、(差動増幅) 増幅回路、(差動増幅)について理解を進めます。 第7回 低消費電力回路 低消費電力回路について理解を進めます。 第8回 製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術) 製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術)について理解を進めます。 第9回 成膜技術、エッチング技術 成膜技術、エッチング技術について理解を進めます。 第10回 微細化技術(露光技術) 微細化技術(露光技術)について理解を進めます。 第11回 イオン注入技術、ウェット技術、CMP技術外 イオン注入技術について理解を進めます。 ウェット技術、CMP技術外について理解を進めます。 第12回 配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術 配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術について理解を進めます。 第13回 レイアウト設計、テスト・歩留まり・信頼性 レイアウト設計、テスト・歩留まり・信頼性について理解を進めます。 第14回 最新デバイス解析に関するグループ発表 最新デバイス解析に関するグループ発表を行います。
教科書・参考書等	教科書 ・タウア・ニン　最新VLSIの基礎、第2版、芝原健太郎、宮本恭幸、内田建監訳、丸善出版
授業で使用する メディア・機器等
	【詳細情報】
授業で取り入れる 学習手法
予習・復習への アドバイス	学修効果を上げるため，教科書や配布資料等の該当箇所を参照し，「毎授業」授業内容に関する予習と復習（課題含む）をそれぞれ概ね100分を目安に行うこと。
履修上の注意 受講条件等	この授業はIntegrated Green-niX College関連講義（東京科学大学、豊橋技術科学大学，長岡技術科学大学，明治大学との半導体人材育成に係る単位互換に関する覚書に基づく講義）になります。 事前に各大学の特別聴講学生申請手続をしていない場合は履修登録が出来ませんのでご注意ください。
成績評価の基準等	試験は行わず、最後にレポートを提出
実務経験
実務経験の概要と それに基づく授業内容
メッセージ
その他
すべての授業科目において，授業改善アンケートを実施していますので，回答に協力してください。 回答に対しては教員からコメントを入力しており，今後の改善につなげていきます。