| 年度 |
2025年度 |
開講部局 |
先進理工系科学研究科博士課程前期先進理工系科学専攻量子物質科学プログラム |
| 講義コード |
WSP05000 |
科目区分 |
専門的教育科目 |
| 授業科目名 |
集積電子システム論I |
授業科目名
（フリガナ） |
シュウセキデンシシステムロンイチ |
| 英文授業科目名 |
LSI systems I |
| 担当教員名 |
野田 俊彦,高橋 一浩 |
担当教員名
(フリガナ) |
ノダ トシヒコ,タカハシ カズヒロ |
| 開講キャンパス |
双方向 |
開設期 |
1年次生 前期 １ターム |
| 曜日・時限・講義室 |
(1T) 月9-10 |
| 授業の方法 |
講義 |
授業の方法
【詳細情報】 |
オンライン（同時双方向型） |
| 講義中心 |
| 単位 |
1.0 |
週時間 |
2 |
使用言語 |
J
:
日本語 |
| 学習の段階 |
6
:
大学院専門的レベル
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| 学問分野（分野） |
25
:
理工学 |
| 学問分野（分科） |
12
:
電子工学 |
| 対象学生 |
博士課程前期学生 |
| 授業のキーワード |
CMOS，MEMS，半導体，センサ，アクチュエータ，集積回路
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| 教職専門科目 |
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教科専門科目 |
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プログラムの中での
この授業科目の位置づけ
（学部生対象科目のみ） | |
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到達度評価
の評価項目
（学部生対象科目のみ） | |
|---|
| 授業の目標・概要等 |
CMOS/MEMS集積化センサを例にデバイス作製に必要となる微細加工技術や評価，実装技術の基礎知識を習得する。
CMOS/MEMS技術の各要素を体系的に学んで理解し，それらを融合した作製プロセスの設計ができるようになる。 |
| 授業計画 |
1.（野田）CMOSアレイセンサ（イメージセンサ）の基礎-1
2.（野田）CMOSアレイセンサ（イメージセンサ）の基礎-2
3.（野田）CMOSイメージセンサの撮像特性
4.（野田）CMOS集積回路-1 構造，CMOSプロセス技術-1 洗浄
5.（野田）CMOS集積回路-2 プロセスフローと断面構造，CMOSプロセス技術-2 成膜とエッチング
6.（野田）CMOS集積回路-3 マスクパターン，CMOSプロセス技術-3 フォトリソグラフィ
7.（野田）CMOS集積回路-4 デザインルール，CMOSプロセス技術-4 不純物導入
8.（野田）まとめと試験
授業内容および成績の評価法に変更が生じる場合があります。
定期試験を実施 |
| 教科書・参考書等 |
指定教科書なし。
参考資料は適宜指示、または配付する |
授業で使用する
メディア・機器等 |
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| 【詳細情報】 |
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授業で取り入れる
学習手法 |
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予習・復習への
アドバイス |
予習：指定した参考書などから講義に関連する内容を予習しておく（90分）
復習：講義ノートを整理する（90分） |
履修上の注意
受講条件等 |
この授業はIntegrated Green-niX College関連講義（東京科学大学、豊橋技術科学大学，長岡技術科学大学，明治大学との半導体人材育成に係る単位互換に関する覚書に基づく講義）になります。
事前に各大学の特別聴講学生申請手続をしていない場合は履修登録が出来ませんのでご注意ください。
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| 成績評価の基準等 |
評価方法：中間試験および期末試験50%、レポート50% 左記の割合で総合的に評価する。
評価基準：原則的にすべての講義に出席したものにつき、下記のように成績を評価する。
S：達成目標をすべて達成しており，かつ試験およびレポートの合計点（100点満点）が90点以上
A：達成目標を80％達成しており，かつ試験およびレポートの合計点（100点満点）が80点以上
B：達成目標を70％達成しており，かつ試験およびレポートの合計点（100点満点）が70点以上
C：達成目標を60％達成しており，かつ試験およびレポートの合計点（100点満点）が60点以上
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| 実務経験 |
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実務経験の概要と
それに基づく授業内容 |
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| メッセージ |
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| その他 |
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すべての授業科目において，授業改善アンケートを実施していますので，回答に協力してください。
回答に対しては教員からコメントを入力しており，今後の改善につなげていきます。 |