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年度	2024年度	開講部局	先進理工系科学研究科博士課程前期先進理工系科学専攻量子物質科学プログラム
講義コード	WSP04900	科目区分	専門的教育科目
授業科目名	半導体メモリ技術概論
授業科目名 （フリガナ）	ハンドウタイメモリギジュツガイロン
英文授業科目名	Introduction Semiconductor Memory Technology
担当教員名	寺本　章伸,内田　克典,伊澤　勝,伊藤　裕之,大場　富仁,松永　範昭,後藤　哲也,町田　貴裕,内山　士郎,成吉　康裕,松橋　秀樹,吉田　和由,合田　晃,田桑　哲也,田中　智晴,宮下　俊彦,青砥　なほみ
担当教員名 (フリガナ)	テラモト　アキノブ,ウチダ　カツノリ,イザワ　マサル,イトウ　ヒロユキ,オオバ　トミヒト,マツナガ　ノリアキ,ゴトウ　テツヤ,マチダ　タカヒロ,ウチヤマ　シロウ,ナリヨシ　ヤスヒロ,マツハシ　ヒデキ,ヨシダ　カズヨシ,ゴウダ　アキラ,タグワ　テツヤ,タナカ　トモハル,ミヤシタ　トシヒコ,アオト　ナホミ
開講キャンパス	東広島	開設期	1年次生   後期   ４ターム
曜日・時限・講義室	(4T) 木5-8：先401N
授業の方法	講義	授業の方法 【詳細情報】
			講義中心、ディスカッション、工場見学
単位	2.0	週時間		使用言語	B : 日本語・英語
学習の段階	6 : 大学院専門的レベル
学問分野（分野）	25 : 理工学
学問分野（分科）	12 : 電子工学
対象学生
授業のキーワード	半導体メモリ、デバイス構造、製造技術
教職専門科目		教科専門科目
プログラムの中での この授業科目の位置づけ （学部生対象科目のみ）
到達度評価 の評価項目 （学部生対象科目のみ）
授業の目標・概要等	半導体メモリ，特にDRAM，フラッシュメモリについて構造の変遷を含めて講義する。その後，製造プロセスについて原理と具体的な方法について解説するとともに，工場見学を通して先端半導体製造へのより深い理解を促す。講義は，産業界からの専門家によるオムニバス方式で実施する。
授業計画	第1回　イントロダクション　(広島大学　寺本教授、青砥特命教授) 第2回　半導体メモリの概要(マイクロンメモリジャパン　田桑客員教授) 第3回　DRAMの回路設計（マイクロンメモリジャパン　内田客員教授） 第4回　DRAMデバイス技術、Chip Stack技術（マイクロンメモリジャパン　宮下客員教授、内山客員教授） 第5回　フラッシュメモリ技術（マイクロンメモリジャパン　合田客員教授、田中客員教授） 第6回　先端DRAMの製造技術・エンジニアリング（マイクロンメモリジャパン成吉客員教授） 第7回　ビッグデータを活用した半導体メモリのスマートマニュファクチャリング（マイクロンメモリジャパン　松橋客員教授） 第8回　半導体メモリープロセス技術概要（マイクロンメモリジャパン　吉田客員教授） 第9回　半導体ウェーハ洗浄技術（SCREEN　田中客員教授） 第10回　リソグラフィー技術（エーエスエムエル・ジャパン　町田客員教授） 第11回　半導体プロセスに用いるプラズマ（東京エレクトロン　後藤客員教授） 第12回　エッチング技術（日立ハイテク　伊澤客員教授） 第13回　イオン注入／配線形成技術（アプライドマテリアルズジャパン　伊藤客員教授、松永客員教授） 第14回　プロセスインフォマティクス（ラムリサーチ　大場客員教授） 第15回　マイクロンメモリジャパン東広島工場見学（マイクロンメモリジャパン成吉客員教授、広島大学　寺本教授） 毎回、レポートを提出。
教科書・参考書等	菅井秀郎著・プラズマエレクトロニクス・オーム社，角南英夫・半導体メモリ・コロナ社 C. Y. Chang ＆ S. M. Sze・ULSI Technology・McGraw-Hill. 毎回、資料を配付します。
授業で使用する メディア・機器等
	【詳細情報】	スライド
授業で取り入れる 学習手法
予習・復習への アドバイス	はじめて聞く用語が多いと思います。わからないことが出てきたらその場で積極的に質問し、配付資料を使用して復習してください。
履修上の注意 受講条件等
成績評価の基準等	各会終了後に提出するレポートを採点(100点満点)し、その平均点で成績を評価します。
実務経験
実務経験の概要と それに基づく授業内容
メッセージ	半導体デバイス製造を担う企業から経験豊富な先生方によるオムニバス講義です。半導体製造の基礎と最近の動向がわかるようになっています。
その他
すべての授業科目において，授業改善アンケートを実施していますので，回答に協力してください。 回答に対しては教員からコメントを入力しており，今後の改善につなげていきます。