| 年度 |
2024年度 |
開講部局 |
先進理工系科学研究科博士課程前期先進理工系科学専攻量子物質科学プログラム |
| 講義コード |
WSP03100 |
科目区分 |
専門的教育科目 |
| 授業科目名 |
LSI集積化工学 |
授業科目名
（フリガナ） |
エルエスアイシュウセキカコウガク |
| 英文授業科目名 |
LSI Devices and Process Engineering |
| 担当教員名 |
黒木 伸一郎,寺本 章伸,内田 克典 |
担当教員名
(フリガナ) |
クロキ シンイチロウ,テラモト アキノブ,ウチダ カツノリ |
| 開講キャンパス |
東広島 |
開設期 |
1年次生 前期 １ターム |
| 曜日・時限・講義室 |
(1T) 木1-4：先401N |
| 授業の方法 |
講義 |
授業の方法
【詳細情報】 |
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| 講義中心 |
| 単位 |
2.0 |
週時間 |
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使用言語 |
B
:
日本語・英語 |
| 学習の段階 |
6
:
大学院専門的レベル
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| 学問分野（分野） |
25
:
理工学 |
| 学問分野（分科） |
12
:
電子工学 |
| 対象学生 |
博士課程前期学生 |
| 授業のキーワード |
プロセス，LSI，MOSデバイス |
| 教職専門科目 |
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教科専門科目 |
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プログラムの中での
この授業科目の位置づけ
（学部生対象科目のみ） | |
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到達度評価
の評価項目
（学部生対象科目のみ） | |
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| 授業の目標・概要等 |
LSI製作のための各要素プロセス（酸化、拡散、イオン注入、薄膜堆積、リソグラフィー、エッチング、真空技術等）の基礎となる物理・化学の理解と技術的知識、および現代的なMOSデバイスの構造・作製方法を学ぶ。さらに、SRAMを題材として、集積化を前提としたデバイス・配線のレイアウトと構造の関係や高集積化技術を理解する。 |
| 授業計画 |
第1回 LSIに関する復習とMOSFETに関する演習
第2回 MOSデバイスとスケーリング
第3回 Si酸化膜（酸化方法・酸化機構）
第4回 薄膜形成（Si酸化膜、窒化膜、金属、シリサイド）
第5回 不純物拡散とイオン注入
第6回 リソグラフィー（光、電子ビーム）、洗浄
第7回 エッチング（湿式、プラズマ）、CMP ダマシン法
第8回 最新のＭＯＳＦＥＴの構造と製作方法（1回目）
第9回 最新のＭＯＳＦＥＴの構造と製作方法（2回目）
第10回 SRAMセルの基本レイアウトと作製工程（1回目）
第11回 SRAMセルの基本レイアウトと作製工程（2回目）
第12回 SRAMセルの高密度化技術
第13回 先端DRAMの動作原理
第14回 集積回路デバイスの動作と信頼性
第15回 集積度の限界・今後の展望
授業中に適宜演習を行う。レポートを課す。
連絡はもみじ掲示板で行うので週一回程度はチェックして欲しい。レポート提出や資料配付にはweb-CTを使用する予定。 |
| 教科書・参考書等 |
プリントを適宜配布する。
参考書"Fundamentals of Modern VLSI Devices" Y. Taur, T. H. Ning, Cambridge Univ. Press 1998. 及び"SEMICONDUCTOR DEVICES Physics and Technology" S. M. Sze, JOHN WILEY & SONS 1985. |
授業で使用する
メディア・機器等 |
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| 【詳細情報】 |
プロジェクタを主に用いる。 |
授業で取り入れる
学習手法 |
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予習・復習への
アドバイス |
要素プロセスが十分習得できていないと、SRAMの理解は困難である。復習に励んで欲しい。 |
履修上の注意
受講条件等 |
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| 成績評価の基準等 |
レポート60%（程度）及び授業中の演習40%（程度）により行う。 |
| 実務経験 |
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実務経験の概要と
それに基づく授業内容 |
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| メッセージ |
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| その他 |
定規、関数電卓、ボールペンあるいはマーカーの類を持参のこと。レイアウト図を読んだり、描いたりするのに、フリーハンド、目分量は好ましく無い。また、多数色の筆記具の使用が望ましいため。 |
すべての授業科目において，授業改善アンケートを実施していますので，回答に協力してください。
回答に対しては教員からコメントを入力しており，今後の改善につなげていきます。 |