年度 |
2024年度 |
開講部局 |
工学部 |
講義コード |
K6221020 |
科目区分 |
専門教育科目 |
授業科目名 |
半導体デバイス工学 |
授業科目名 (フリガナ) |
ハンドウタイデバイスコウガク |
英文授業科目名 |
Semiconductor Device Engineering |
担当教員名 |
天川 修平 |
担当教員名 (フリガナ) |
アマカワ シュウヘイ |
開講キャンパス |
東広島 |
開設期 |
3年次生 前期 2ターム |
曜日・時限・講義室 |
(2T) 月7-10:工102 |
授業の方法 |
講義 |
授業の方法 【詳細情報】 |
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講義中心 |
単位 |
2.0 |
週時間 |
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使用言語 |
J
:
日本語 |
学習の段階 |
3
:
中級レベル
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学問分野(分野) |
25
:
理工学 |
学問分野(分科) |
12
:
電子工学 |
対象学生 |
3年次生 |
授業のキーワード |
Device physics, electrons and holes, p-n junctions, MOS capacitors, MOSFETs |
教職専門科目 |
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教科専門科目 |
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プログラムの中での この授業科目の位置づけ (学部生対象科目のみ) | |
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到達度評価 の評価項目 (学部生対象科目のみ) | 電子システムプログラム (能力・技能) ・電子システム分野の基礎概念,知識および手法を具体的・専門的な問題に応用する能力 |
授業の目標・概要等 |
This course covers elementary device physics, p-n junctions, MOS capacitors, and MOSFETs. |
授業計画 |
第1回 半導体と半導体デバイス 第2回 半導体デバイスと回路理論 第3回 周期構造と波(1) 第4回 周期構造と波(2) 第5回 平衡状態の半導体の物理(1) 第6回 平衡状態の半導体の物理(2) 第7回 擬フェルミ準位 第8回 電気伝導,中間試験 第9回 生成・再結合 第10回 PN接合の物理(1) 第11回 PN接合の物理(2) 第12回 PN接合の物理(3) 第13回 MOSキャパシタの物理 第14回 MOSFETの物理(1) 第15回 MOSFETの物理(2)
中間・期末試験 |
教科書・参考書等 |
教科書:益一哉,天川修平,『電子物性とデバイス』,コロナ社,2020. |
授業で使用する メディア・機器等 |
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【詳細情報】 |
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授業で取り入れる 学習手法 |
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予習・復習への アドバイス |
第1回~第15回 教科書の予習.授業内容を復習し,例題を自分で解けるようにする. |
履修上の注意 受講条件等 |
予習で必ず教科書を熟読してから授業に臨むこと. |
成績評価の基準等 |
中間・期末試験(70%),小テスト(30%). これ以外に授業への積極的な参加(質問,発言)に対する加点を満点を超えない範囲で行う. |
実務経験 |
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実務経験の概要と それに基づく授業内容 |
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メッセージ |
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その他 |
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すべての授業科目において,授業改善アンケートを実施していますので,回答に協力してください。 回答に対しては教員からコメントを入力しており,今後の改善につなげていきます。 |