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年度 2020年度 開講部局 工学部
講義コード K6222020 科目区分 専門教育科目
授業科目名 電子材料工学
授業科目名
(フリガナ)
デンシザイリョウコウガク
英文授業科目名 Electronic Material Engineering
担当教員名 東 清一郎
担当教員名
(フリガナ)
ヒガシ セイイチロウ
開講キャンパス 東広島 開設期 3年次生   後期   4ターム
曜日・時限・講義室 (4T) 水5-6,木3-4:工218
授業の方法 講義 授業の方法
【詳細情報】
 
講義中心 
単位 2.0 週時間   使用言語 B : 日本語・英語
学習の段階 3 : 中級レベル
学問分野(分野) 25 : 理工学
学問分野(分科) 12 : 電子工学
対象学生 3年次生 後期
授業のキーワード 半導体、薄膜、誘電体、磁性体、有機半導体、トランジスタ、メモリ,実務経験 
教職専門科目   教科専門科目  
プログラムの中での
この授業科目の位置づけ
 
到達度評価
の評価項目
電子システムプログラム
(能力・技能)
・電子システム分野の基礎概念,知識および手法を具体的・専門的な問題に応用する能力 
授業の目標・概要等 電子デバイスを構成する材料(半導体、薄膜、誘電体、磁性体、有機半導体等)の物性とそのデバイス応用(トランジスタ、メモリ)に関する知識を習得する。
1.IV族系半導体薄膜の物性とデバイス応用について理解する
2.誘電体、有機材料、磁性体の特性とそのデバイス応用について理解する
3.各種電子材料を用いたトランジスタやメモリデバイスの動作原理を理解する 
授業計画 第1回 イントロダクション
第2回 単結晶と多結晶
第3回 捕獲準位と電気伝導
第4回 非晶質
第5回 有機材料(トランジスタ、エレクトロルミネッセンス、超伝導)
第6回 絶縁体・誘電体材料
第7回 新メモリ材料(相変化型、抵抗変化型)
第8回 磁気モーメントと常磁性
第9回 磁性材料
第10回 磁性デバイス
第11回 パワーデバイス向け半導体材料(Si,SiC,GaNなど)
第12回 一万ボルト超級のパワーデバイス実現におけるSiの限界
第13回 一万ボルト超級のパワーデバイス実現のための半導体材料
第14回 化合物半導体
第15回 金属(プラズモニクス) 
教科書・参考書等 各回の配布資料等 
授業で使用する
メディア・機器等
 
【詳細情報】 テキスト,配付資料,映像(ビデオ/PC/その他画像資料) 
授業で取り入れる
学習手法
 
予習・復習への
アドバイス
各回の配布資料等と授業中のノートを中心に復習をする 
履修上の注意
受講条件等
・原則としてすべての授業に出席すること
・この科目に先立つ基礎科目:電子物性基礎論、固体電子工学 
成績評価の基準等 各回の小テスト、レポート等による総合評価 
実務経験 有り  
実務経験の概要と
それに基づく授業内容
精密機器メーカーで半導体プロセス・デバイスに関する実務経験を有する教員が、実例を交えて講義をおこなう。 
メッセージ  
その他   
すべての授業科目において,授業改善アンケートを実施していますので,回答に協力してください。
回答に対しては教員からコメントを入力しており,今後の改善につなげていきます。 
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